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점잖은 깽깽이풀2018.11.14 23:37조회 수 531댓글 7

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처절한 물레나물
2018.11.14 23:48
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저 솔루션 저도 봤는데 가끔가다가 틀린거 있음
맹신하진 마셈..
아니면 교수님께 쉅끝나고 질문ㄱㄱ일구 질문받는거좋아함
화난 참회나무
2018.11.14 23:58
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a는 문턱전압 없다하고 푸시는게 .. 사실 그리고 FET인 경우는 source drain이 구조적으로 나뉘지가 않아요! 그래서 여기두 문턱전압이 0이라는 가정하에 pinch out이 생기니까 saturation이 맞네요. mosfet기호에서 화살표무늬가 drain이란 뜻인지는 모르겠지만, 저는 FET에서 source drain을 나누지 않습니다!
@화난 참회나무

글쓴이
2018.11.15 00:03
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감사합니다!!
화난 참회나무
2018.11.14 23:59
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i는 off겠네요!
참혹한 갈퀴덩굴
2018.11.15 00:00
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와 1년됐다고 하나도모르겠노 ㅋㅋ
기발한 수박
2018.11.15 12:50
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Mosfet에서 sat조건은 vgs-vth<=vds조건을 만족할때 입니다. 따라서 a는 off, g의 경우는 source쪽 전원이 역방향이므로 vgs가 0.5v가 됩니다. 마찬가지로 vds도 0.5v이구요 h,i역시 source 쪽 전원의 방향이 역방향이므로 동일하게 해석하시면 됩니다.
@기발한 수박

글쓴이
2018.11.15 21:38
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아아 감사합니다 이해 확 되네요.

고맙습니다.

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